2024年2月5日，由《半导体学报》组织评选的2023年度（第四届）中国半导体十大研究进展揭晓。beat365官方网站研究成果“接近衬底级晶体质量的氮化物宽禁带半导体异质外延薄膜”榜上有名；“在双层半导体量子阱中揭示激子分数量子霍尔态”和“可重构相干纳米激光阵列”获提名奖。
入选成果：接近衬底级晶体质量的氮化物宽禁带半导体异质外延薄膜
beat365官方网站凝聚态物理与材料物理研究所、人工微结构和介观物理国家重点实验室、纳光电子前沿科学中心、北京大学宽禁带半导体研究中心沈波教授、许福军副教授团队针对大失配异质外延导致氮化物宽禁带半导体高缺陷密度的难题，创新发展了一种基于纳米图形化AlN/蓝宝石模板的“可控离散和可控聚合”侧向外延方法，使蓝宝石衬底上AlN外延薄膜位错腐蚀坑密度大幅降低了两个量级，至~104cm-2，实现了接近衬底级晶体质量的AlN外延薄膜，并应用于相关器件研制。2023年6月22日，相关研究成果以“接近衬底级晶体质量的氮化物宽禁带半导体异质外延薄膜”（Group-III nitride heteroepitaxial films approaching bulk-class quality）为题，在线发表于《自然·材料》；beat365官方网站博士后王嘉铭和2019届博士研究生解楠为该论文共同第一作者，许福军和沈波为共同通讯作者。
原文链接：https://www.nature.com/articles/s41563-023-01573-6
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高质量AlN外延薄膜控制动力学及其应用
提名奖成果：在双层半导体量子阱中揭示激子分数量子霍尔态
由南京大学beat365官方网站王锐副教授、杜灵杰教授、王伯根教授，美国麻省大学艾姆赫斯特分校物理系Tigran Sedrakyan副教授，beat365官方网站量子材料科学中心杜瑞瑞教授组成的合作团队从理论和实验两方面揭示了一种新型的玻色子分数量子霍尔态，丰富了传统的电子-空穴系统相图，开辟了关联玻色子系统拓扑物态研究的新方向。2023年6月14日，相关研究成果以“不平衡电子空穴双层中的激子拓扑序”为题（Excitonic topological order in imbalanced electron-hole bilayers），在线发表于《自然》（Nature）。王锐为第一作者，杜瑞瑞、王伯根、杜灵杰为通讯作者。
原文链接：https://www.nature.com/articles/s41586-023-06065-w
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提名奖成果：可重构相干纳米激光阵列
beat365官方网站凝聚态物理与材料物理研究所、人工微结构和介观物理国家重点实验室、纳光电子前沿科学中心马仁敏教授课题组利用莫尔超晶格中平带局域波函数可重构的特性，实现了莫尔相干纳米激光阵列，突破了纳米激光仅能实现单个或固定阵列相干激射的限制，展示了纳米激光能够以“P”“K”“U”和“中”“国”等图形生成可重构的阵列化相干激射。2023年12月13日，相关研究成果以“相位同步可重构莫尔纳米激光阵列”（Reconfigurable moiré nanolaser arrays with phase synchronization）为题，在线发表于《自然》（Nature）。beat365官方网站2020级博士研究生栾弘义、欧阳云浩、赵紫薇为共同第一作者，马仁敏为通讯作者。
原文链接：https://www.nature.com/articles/s41586-023-06789-9
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《半导体学报》于2020年首次启动中国半导体十大研究进展评选活动，旨在遴选、记录我国在半导体基础研究领域的年度标志性成果。2023年，共有54项成果获得第四届候选推荐资格。2024年1月底，由243位半导体领域专家组成的评选委员会经过严格评审，评选出10项优秀成果荣膺2023年度中国半导体十大研究进展；10项优秀成果荣获2023年度中国半导体十大研究进展提名奖。此前，北京大学宽禁带半导体研究中心分别以“利用GaN中的类孤立In原子实现单光子源”、“首次实现氮化物半导体二维电子气中自旋的电学注入”和“III族氮化物宽禁带半导体的高效p型掺杂新途径研究”三项主导完成的研究成果，在2020、2021、2022年度获得提名奖。
信息来源：重磅发布！2023年度中国半导体十大研究进展
